铝碳化硅AlSiC基板 IGBT模块底板 高功率底板 铝碳化硅材料底板
铝碳化硅（AlSiC）基板在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块中作为底板，具有显著的优势和特性。
- 性能特点：
- 高导热率：AlSiC具有高导热率，一般在170～220W/mK之间，这一特性使得AlSiC基板能够迅速地将芯片产生的热量散发出去，从而提高整个元器件的可靠性和稳定性。
- 热膨胀系数匹配：AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片相匹配，一般在6.5～9.5×10^-6/K范围内，这使得在高功率循环状态下，基板与芯片或陶瓷支架之间的热应力较小，有效防止了焊点失效的问题。
- 低密度、高强度和硬度：AlSiC的密度较低，仅为2.95g/cm³，仅为铜的1/3，使得基板更加轻便。同时，其高强度和硬度提高了器件在受到机械冲击或振动时的可靠性。
- 应用优势：
- 提高散热效率：由于AlSiC基板的高导热率，IGBT模块可以更有效地散热，从而保持较低的工作温度，提高系统的可靠性和稳定性。
- 增强可靠性：AlSiC基板的热膨胀系数匹配性有助于减少因温度变化引起的热应力，降低焊点失效的风险，增强了IGBT模块的可靠性。
- 减轻重量：与传统的铜基板相比，AlSiC基板具有更低的密度，从而降低了IGBT模块的整体重量，有助于减轻整车质量，提高能效。
- 数字与实例：
- 导热率：AlSiC基板的热导率在170-220之间。
- 热膨胀系数：AlSiC基板的热膨胀系数为6-7 ppm/°C，与IGBT的氮化铝CET值相匹配。
- 应用领域：铝碳化硅底板封装的IGBT模块已广泛应用于高铁、地铁、新能源汽车、风力发电等领域。
铝碳化硅（AlSiC）基板作为IGBT模块的底板，凭借其高导热率、热膨胀系数匹配、低密度以及高强度和硬度等特性，在提高散热效率、增强可靠性以及减轻重量等方面具有显著优势。因此，AlSiC基板在IGBT模块中得到了广泛应用，并有望在未来电力电子领域发挥更加重要的作用。
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