陶瓷热沉基板覆铜工艺有哪些？-陕西普微电子封装热沉材料分享

陶瓷热沉基板覆铜工艺是指在基板表面覆盖一层铜箔的工艺，主要是为了提高基板的导电性、导热性和可焊性。以下是一些常见的陶瓷热沉基板覆铜工艺：

直接覆铜（DBC）工艺：利用铜的熔点较高，在高温下将铜箔直接键合在陶瓷表面，具有较高的结合强度和良好的导热性能，被广泛应用于功率模块等领域。
活性金属焊接（AMB）工艺：先在陶瓷热沉基板上涂覆一层活性金属焊料，然后将铜箔放在焊料上，通过加热使焊料熔化并与铜箔和陶瓷热沉基板发生反应，实现三者的牢固结合。该工艺具有良好的导热性和可靠性，适用于高功率、高温环境下的应用。
直接电镀铜（DPC）工艺：通过化学镀或电镀的方法在陶瓷热沉基板表面沉积一层铜，然后进行图形化处理，形成所需的电路图案。这种工艺具有精度高、成本低的优点，适用于高密度、高精度的电子封装。
激光活化金属（LAM）工艺：利用激光束照射陶瓷热沉基板表面，使其表面活化，然后通过化学镀或电镀的方法在活化区域沉积铜，形成金属层。该工艺具有结合强度高、精度高的特点，适用于微电子领域。
层压法：将铜箔和陶瓷热沉基板通过热压或胶粘的方式结合在一起，形成覆铜陶瓷基板。这种工艺简单、成本低，但结合强度相对较低。
溅射法：通过溅射的方法在陶瓷热沉基板表面沉积一层铜，然后进行图形化处理，形成电路图案。该工艺具有沉积速率快、均匀性好的优点，适用于大规模生产。
蒸发法：利用蒸发的方法将铜材料加热至蒸发温度，使其蒸发并沉积在陶瓷基板表面，形成金属层。该工艺适用于制备较薄的金属层。