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第四代半导体的新希望,氧化镓是否能引领市场革新?
随着电子信息技术的不断发展,半导体材料也经历了数次迭代。当前,以GaN、SiC为代表的第三代半导体已成为世界各国的“必争之地”,被广泛应用于制造各类电子与光电器件。然而近年来,6G通信、电动车超级快充、特高压输变电、大规模储能等新应用场景不断涌现,第三代半导体的理化特性已无法胜任更高的性能要求,因此以氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石(Diamond)、氮化硼(BN)为代表的第四代超宽禁带半导体材料也开始受到广泛关注。第四代半导体具有更为卓越的理化性质,尤其是远超第三代半导体的带隙,在功率电子、射频电子、深紫外光电器件等领域具有广阔的应用潜力。其中最引人注目的半导体材料就是氧化镓。2024-06-14
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